安规电容为未来的发展趋势

为了使产品尺寸更小的安规电容且谐振频率更高，安规电容制造商将面临两个挑战：一方面，要求塑料的介电常数大于10,000，另一方面，保持塑料介电常数不变高。 在介电常数为100的条件下，陶瓷膜较薄。在需要高谐振频率和低串联电阻的地方，这些MLCC越来越多地用于耦合，旁路或滤波电路。 
为了优化电气性能，必须确定材料，设计和组装方法的影响。  日本在安规电容该领域已处于领先地位。。声称他们已经开发出一种尺寸仅为3.2mm×1.6mm的1μF电容器，仅为传统电容器的一半。 

安规电容制造方法是使用具有极细颗粒的钛酸钡粉末，以便使用的介质更稀，当然，给定尺寸的电容器的电容会增加。根据该公司的记录和生产，该设备每月只开始使用500％。用于发动机控制系统和航空航天探测设备的耐高温电子系统中，稳定高需要300-600C温度的多层陶瓷电容器作为传感器，所使用的安规电容材料应与高温半导体兼容。 
安全电容器必须开发一种环保的低火介电陶瓷：它不会产生PbO等挥发性物质，并且不需要在溶剂型粘合剂体系中进行处理。 
美国TAM陶瓷公司正在研究使用基于CuO的烧成辅助材料来开发低烧结Z5U和Y5V介电陶瓷。 
根据所需的高达10,000或更高的介电常数，瓷器包含各种比例的BaCuO2：WO3或BaCuO2：MoO3。 
在1100℃烘烤2小时后，密度可以超过理论值的95。 

 WOz降低居里温度，而MoO3不起作用。  对于安规电容动态随机存取存储元件和低电感去耦电容器等电荷存储电容器在高速开关VLSI器件中产生噪声时，介电材料需要低泄漏电流，高击穿强度和高介电强度。电气常数高。对于256位DRAM，要求电荷存储密度在20至115 pC / cm2的范围内，泄漏电流密度在30至360 mA / cm2的范围内，电介质厚度应在在0.01至0.2μm的范围内。 
美国亚利桑那州立大学的初步研究表明安规电容通过溶胶-凝胶法制备的非铁电钙钛矿型PLT包含28La摩尔钛酸铅薄膜，有望满足这些要求。 这种类型的薄膜厚度为0.5μm，制成1毫米电容器